Conférence
9 oct

GaN : L'avenir des technologies de puissance

Venez échanger avec Mohamed Foued Guellati, Doctorant en électronique, pour en savoir sur l'avenir des technologies.

Thématique(s)
  • Sciences de l'ingénieur

Avec

  • Mohamed Foued Guellati > octorant à l'Institut de recherche en systèmes électroniques embarqués (IRSEEM)

Le silicium, pilier de l’électronique, bute aujourd’hui sur son incapacité à atteindre des fréquences très élevées. Le nitrure de gallium (GaN), semi-conducteur à large bande interdite, a donc émergé pour offrir des vitesses de commutation accrues, c’est-à-dire des fréquences plus importantes, favorisant ainsi la miniaturisation et la conception de dispositifs plus compacts, parfaitement adaptés aux applications de puissance.

Mohamed Foued Guellati, Doctorant à l'Institut de recherche en systèmes électroniques embarqués (IRSEEM), vous en dit plus sur le sujet.

 

 

 

-----

RENDEZ-VOUS AVEC

Et si la science n’était pas qu’une affaire de spécialistes ? Si elle devenait un moment de partage, de découverte et de dialogue, accessible à tous et toutes ? C’est ce que vous propose "Rendez-vous avec", un cycle de rencontres coordonné par Le Dôme, en partenariat avec Normandie Doc' et Science Action Normandie, et animé par de jeunes chercheurs et chercheuses normandes, passionnées par leur sujet… et par l’envie de le partager !

 

 

 

 

Informations pratiques

Lieu

Hôtel de Ville du Havre
1517 Place de l’Hôtel de Ville 76600 Le Havre
Bus et tramway : arrêt "hôtel de ville"

Date(s)

9 oct 2025
14:00 > 14:45
Réservation conseillée

Contact et réservation

culture-scientifique@univ-lehavre.fr
0232744061

Publics concernés

15 - 18 ans, 18 - 25 ans, 25 ans et +

Accessibilité

  • Mobilité réduite